Auf Lager
--
Diode 600V 0.8A <200ns Silizium F114F
Produktreferenz : F114F
Mengenrabatte – Sparen Sie beim Kauf
| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 0.59 € | — |
| 5 – 99 | 0.42 € | -29% |
| 100+Bestpreis | 0.39 € | -34% |
Technische Produktbeschreibung (F114F):
Diode 600V 0.8A <200ns F114F. Halbleitermaterial: Si. IF(AV): 0.8 A. Info2: GI, S. Vrrm: 600 V.